应用领域 1、 光通讯领域，配合公司专门为光纤连接器开发的抛光产品，能达到超精细抛光效果，抛光后连接器端面没有划伤和缺陷，3D指标和反射衰减指标达到国际标准。 2、 硬盘基片的抛光，SiO2磨料呈球形，具有粒度均匀、分散性好、平坦化效率高等优点。 3、 硅晶圆、蓝宝石等半导体及衬底材料的粗抛和精抛，具有抛光速率高，抛光后易清洗，表面粗糙度低，能够得到总厚偏差（TTV）极小的质量表面。 4、其他领域的应用，如不锈钢、光学玻璃等领域，抛光后能达到良好的抛光效果

氧化铈抛光液 氧化铈抛光液是以微米或亚微米级CeO2为磨料的氧化铈研磨液，该研磨液具有分散性好、粒度细、粒度分布均匀、硬度适中等特点。 适用于高精密光学仪器，光学镜头，微晶玻璃基板，晶体表面、集成电路光掩模等方面的精密抛光。

抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。 抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。

CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。